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等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)

簡要描述:

等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)是借助于放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式。

型號:

城市:上海市

訪問量:3918

更新時間:2021-11-18

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等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)
  一、等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)的應用:
  PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;
 
  二、產品特點:
  1、整機采用SUS304不銹鋼材質,流線型外觀,真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。
  2、爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩,可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料。
   3、采用高純石英管,高溫下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小。
  4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。
  5、加熱元件采用康奈爾發熱絲,表面負荷高、經久耐用。設計溫度1200℃,升溫速率10℃/min。
  6、可選配多路質量流量計,數字顯示、氣體流量自動控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量。
  7、等離子射頻電源:大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC,單相50/60Hz。
 
  三、技術參數:

 

型號

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE 

HTF1200-5/20-4M-LV-PE 

HTF1200-6/40-2M-HV-PE 

HTF1200-8/40-4M-HV-PE 

設計溫度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控溫精度(℃)

±1 

±1

±1 

±1 

加熱區直徑(mm)

25 

 50

60 

80 

加熱區長度(mm)

200 

 200 

400 

400 

加熱管長度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

恒溫區長度(mm)

80 

80 

150 

150 

額定電壓(V)

220 

220 

220 

220

額定功率(KVA)

1.2 

1.2 

射頻電源功率(W)

5~300 

5~300 

5~500 

5~500 

真空機組

HTF-101 

HTF-101 

HTF-104 

HTF-104 

供氣系統

HTF-2F 

HTF-4F

HTF-2M 

HTF-4M 

 

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